半导体领域经常会遇到零部件微小的情况，正因为这样才需要通过微蚀刻加工的方式进行，蚀刻工艺是微制造过程中极其重要的步骤。蚀刻是指在进行制造时通过晶片表面去除层，每个晶片都需要经历很多的微蚀刻加工过程，而用于保护晶片免受蚀刻液腐蚀影响的材料我们叫掩膜材料，掩膜材料可以是光致抗蚀剂，也可以通过光刻法进行图案化。蚀刻过程中需要通过空腔根据特定的深度来控制蚀刻时间和蚀刻速率。多层结构的顶层去除需要通过蚀刻机来执行，下层和掩膜层无任何种类的损伤，主要原因是取决于材料之间的蚀刻速率之比，即选择性。蚀刻会削弱掩膜层，产生空腔的倾斜侧壁称为偏差。

蚀刻中的湿法蚀刻其原理是通过对液体化学物质或者蚀刻液从晶片出去材料的过程。掩膜限定可以铜鼓晶片上的特定图案来完成。没有被掩膜保护的材料将被蚀刻液腐蚀掉。镜片上沉积和构图的掩膜可以通过光刻技术来执行。湿法刻蚀工艺涉及多层化学反应，消耗原反应物产生新的反应物。