氮化硅（SiC）作为半导体材料，具有极高的热导率，在电子饱和速率、抗辐射能力上也有较强的表现，易散热、小体积、低能耗、高功率等明显优势。

新能源汽车通过氮化硅（SiC）能够有效的加速性能与动力系统输出最大功率，提升加速度；新能源汽车领域重要的是续航里程和充电时间，为了提高电压能在同样的电阻下减少电耗损失，提升效率，增加续航里程，通过氮化硅（SiC）器件能够提升导通/开关两个维度降低损耗；氮化硅（SiC）材料能够实现高频开关，减少滤波器和无源器件，从而减少电池容量，有助于车辆轻量化。

氮化硅陶瓷衬板又称陶瓷电路板，在陶瓷基片上通过覆铜技术形成基板，再通过激光钻孔、图形刻蚀等工艺制造成陶瓷电路板。目前已经逐渐成为车企优异导热和抗弯性能对SiC芯片封装的最佳材料。

氮化硅陶瓷铜基板通过蚀刻加工能够保障产品性能优势、表面细腻平滑、无毛刺。通过蚀刻工艺能够实现对陶瓷铜基板的焊层蚀刻。蚀刻陶瓷铜基板在高温下的服役可靠性更强，这也是逐渐成为汽企青睐的首选。